存储芯片涨价潮延续，HBM价格2027年或翻倍

受AI算力需求激增及产能结构性瓶颈影响，存储芯片行业正经历一轮强劲的涨价周期。研究机构DigiTimes最新报告指出，高带宽内存（HBM）价格预计在2027年实现翻倍，而SK海力士CEO郭鲁正警告称，2027年将成为存储芯片供应短缺最严重的一年。这一趋势为存储芯片板块注入强大催化剂，资金持续流入，估值修复预期升温。

从基本面看，HBM4价格预计从2026年下半年的约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，主要因工艺难度高、生产周期长达4至6个月及初期良品率偏低。生产HBM所需晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，产能释放空间受限。三星电子、SK海力士和美光科技正通过长期协议锁定全球供应，2027年近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商面临断供风险。

资金面上，SK海力士美国存托凭证（ADR）在美股上市首日大涨超12%，发行规模达265亿美元，显示市场对存储芯片的强劲需求。威刚董事长陈立白透露，2026年第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash调涨35%至40%，两大产品线涨势明确。

技术面上，DDR5利润率已突破80%，迫使芯片制造商要求更高HBM定价以优化产线配置。当前，存储芯片板块处于上升通道，涨价叙事持续吸引增量资金。

展望未来，随着AI硬件需求持续扩张，2027年全球存储芯片供应缺口或进一步扩大，消费电子企业需提前锁定长期协议以避免断供。投资者可关注HBM及DDR5相关龙头公司的估值修复机会。