存储芯片行业景气度持续攀升,三星年内第三度推动DRAM涨价,叠加A股存储龙头江波龙(301308)上半年净利最高预增超743倍,显示行业景气正从上游原厂加速传导至下游模组企业。本轮涨价核心驱动力来自AI需求激增引发的供需错配,三大原厂将产能转向HBM,传统DRAM供给被大幅排挤,新增产能需至2027年方能释放。

从资金面看,存储板块近期获主力资金持续流入,板块轮动效应显著。技术面上,存储芯片指数(BK1137)近期呈震荡上行趋势,估值修复空间仍存。基本面方面,江波龙已与多家全球头部存储晶圆原厂续签长期供货协议(LTA),锁定晶圆供应,业绩爆发背后是下游需求增加与全球存储晶圆产能增长有限的共振。此外,长川科技(300604)中报净利同比预增110.76%至134.18%,富满微(300671)上半年归母净利润预增351.63%至407.54%,中电港(001287)净利也同比预增,存储赛道业绩兑现全面开花。

展望后市,尽管TrendForce预计第三季度DRAM合约价涨幅收敛至13%至18%,但AI驱动的高景气周期有望延续,具备产能锁定能力和技术壁垒的龙头企业将持续受益。

作者 admin

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