SK海力士拟发行45万亿韩元存托凭证，加速半导体产能扩张

SK海力士（SK Hynix）宣布计划发行至多45.45万亿韩元（约合340亿美元）存托凭证，旨在为半导体工厂建设提供资金支持。此举凸显了公司在全球存储芯片需求复苏背景下的资本开支扩张战略，投资者可关注其产能布局对长期盈利能力的提振。

根据公告，该公司美国存托凭证（ADR）将在纳斯达克上市，最终发行数量上限为1780万股注册普通股，具体规模将根据市场簿记建档结果确定。美银证券、花旗集团和摩根大通将担任牵头承销商，确保发行流程的专业性与市场流动性。

募集资金将重点投向三大项目：龙仁半导体产业集群、清州先进封装厂及极紫外光刻（EUV）扫描设备采购。从资金面看，大规模融资将强化SK海力士在HBM（高带宽内存）及先进制程领域的竞争力；技术面上，EUV设备投入有望提升3D NAND和DRAM的良率与能效。

展望未来，随着AI算力需求激增及存储芯片周期回暖，SK海力士的产能扩张或加速估值修复。投资者需关注全球半导体贸易政策及下游需求波动对项目回报率的影响。