三星Q3 DRAM拟提价20%，存储芯片景气度延续

存储芯片市场持续升温，三星电子拟于第三季度将DRAM平均售价环比提升20%，已向部分客户发出口头通知。本轮涨价主要受AI算力需求及数据中心建设驱动，但消费电子需求疲软或制约涨幅空间。

据产业链消息，三星电子计划将2026年第三季度DRAM平均售价环比提高20%，已通过口头报价通知部分消费电子终端厂商。一家终端厂商负责人确认，6月已收到三星提价通知，预计上游涨价将传导至整机售价，但因当前消费电子整体价格不高，对用户选购影响有限。

TrendForce集邦咨询数据显示，第三季度DRAM合约价预计环比增长13%-18%，涨幅较前季收窄，主要因消费级需求下调及高基数效应。NAND Flash合约价预计环比增长10%-15%，AI推理与大型数据中心建设仍为需求主力，但消费端客户价格承受力已达极限。群智咨询预计，LPDDR5X（8GB）合约价环比涨幅约20%，内存涨价将推高消费电子零售价，智能手机出货量或同比下降约11%，下半年降幅扩大。

从资金面看，7月3日三星电子股价上涨8.22%至309500韩元/股，SK海力士涨10.88%至2425000韩元/股，铠侠控股涨9.23%至83300日元/股，显示市场对存储芯片涨价逻辑的认可。技术面上，存储板块处于估值修复通道，但需警惕消费电子需求走弱对涨价持续性的压制。

展望后市，存储芯片短期景气度受AI及数据中心需求支撑，但消费电子疲软或限制涨幅，投资者需关注三季度合约价实际落地情况。