碳化硅概念逆市走强，SiC成800V高压直流核心刚需

碳化硅（SiC）概念股今日逆市走高，资金显著流入第三代半导体板块。截至发稿，瀚天天成（02726）涨10.85%，报140港元；天岳先进（02631）涨10.6%，报103.3港元；ASMPT（00522）涨8.74%，报211.4港元；天域半导体（02658）涨2.19%，报51.25港元。

消息面上，英伟达在GTC大会上确认800V直流技术研发稳步推进，其800V直流电源机柜计划于2026年第三季度实现量产就绪，直接拉动SiC器件在AI基础设施中的价值量。海内外大厂加速布局：英飞凌自4月1日起对SiC等产品涨价超15%，三星宣布重启SiC代工业务，抢占第三代半导体材料市场份额。

从基本面看，开源证券指出，英伟达推动数据中心电源架构向800V高压直流升级，显著提升SiC渗透率。根据Citrini Research测算，每1MW AI机柜电源转换BOM成本中，SiC、GaN等宽禁带器件占新增成本64%。预计2024-2030年SiC市场规模将由35亿美元增至124亿美元，AI基础设施将贡献近半数需求。

技术面上，板块短期受消息催化，但长期估值修复逻辑清晰，资金面呈现机构加仓迹象。展望后市，随着800V高压直流技术落地和产能扩张，SiC产业链有望持续受益于AI算力基础设施的爆发式增长。