本川智能联手西安交大攻坚CIPB封装技术

本川智能（300964）近日与西安交通大学签署技术开发合同，聚焦碳化硅（SiC）多芯片并联嵌入式CIPB功率半导体封装技术研发，旨在抢抓第三代半导体、AI算力硬件及新能源产业升级机遇。此次合作将强化公司在高端PCB与功率半导体领域的技术壁垒，契合下游高功率、小型化、高可靠性的核心需求。

从资金面看，该合作有望吸引关注半导体封装与AI算力产业链的增量资金流入，推动板块轮动至高端电子制造领域。技术面上，CIPB封装技术通过多物理场仿真验证，重点攻克高dv/dt、高功率密度下的电热机械失效风险，解决AI服务器电源、高压功率器件的散热差、集成度低等痛点。基本面层面，西安交大在电力电子领域的顶尖科研实力，结合本川智能的产业化经验，将加速前沿成果的工程化迭代，提升公司高附加值产品在新能源、汽车电子等赛道的市场竞争力。

展望未来，随着CIPB技术落地，本川智能有望在AI算力硬件与碳化硅器件封装领域实现估值修复，建议关注后续研发进展及客户导入情况。