英诺赛科涨超4%，高盛看好氮化镓渗透率跃升

英诺赛科(02577)午前涨超4%，截至发稿报47.92港元，成交额1.94亿港元，显示资金面积极介入。高盛研报指出，AI数据中心向800V高压直流架构迁移，将推动氮化镓(GaN)器件大规模应用，公司作为全球领先IDM模式供应商，有望受益于板块轮动与估值修复。

从基本面看，高盛预计英诺赛科2025至2028年营收复合年均增长率(CAGR)高达73%，核心驱动力来自三重因素：一是数据中心电源从硅基向氮化镓的渗透率跃升，技术替代加速；二是产品线从消费电子快充向汽车、工业及人形机器人等高价值场景延伸，单设备价值量显著提升；三是苏州工厂产能持续扩张，预计到2029年底月产能超6.8万片晶圆，为业绩增长提供产能保障。

技术面上，股价近期放量突破，资金流入迹象明显，短期关注47港元支撑位。展望后市，随着AI算力需求爆发，氮化镓产业链景气度有望持续上行，公司作为龙头将充分受益于行业红利。