天科合达IPO募资27.8亿，半导体碳化硅龙头冲刺科创板

【专业导语】北京天科合达半导体股份有限公司（简称：天科合达）于2026年6月30日提交科创板IPO申请，拟募集资金27.8亿元，标志着国内碳化硅衬底龙头正式进入资本化阶段。作为第三代半导体材料核心供应商，公司受益于新能源汽车、5G通信等下游需求爆发，估值修复空间显著。

【正文】据最新披露信息，天科合达本次拟发行7200万股，发行后总股本增至57800万股。公司主营半导体碳化硅晶片（SiC）的研发、生产与销售，产品广泛应用于功率器件、射频器件等高端领域。目前审核状态为“已问询”，保荐机构为中国国际金融股份有限公司（中金公司），审计机构为立信会计师事务所，法律顾问为锦天城律师事务所。

从资金面看，27.8亿元募资规模在科创板半导体材料板块中位居前列，反映出市场对碳化硅赛道的高度认可。技术面上，公司已掌握6英寸导电型SiC衬底量产技术，并布局8英寸产品研发，具备国产替代核心壁垒。基本面方面，公司2025年营收同比增长超40%，净利润扭亏为盈，毛利率持续改善。

【总结展望】随着全球碳化硅渗透率提升及国内产能扩张，天科合达有望在2027年实现规模化盈利，成为A股第三代半导体材料标杆。投资者需关注下游需求波动及产能爬坡节奏。