天岳先进涨超8%，8英寸SiC领跑全球

碳化硅衬底龙头天岳先进(02631)今日强势上涨，盘中涨幅超8%，截至发稿报82港元，成交额达1.07亿港元。资金流入迹象明显，市场对公司在第三代半导体领域的领先地位及数据中心电源方案迭代带来的增量需求给予积极定价。

从基本面看，天岳先进已从国内重要参与者跃升为全球头部竞争者。据公司官网披露，2025年其碳化硅衬底整体市场份额及8英寸产品市场份额均位居全球第一。TrendForce预测，8英寸SiC衬底出货份额将于2030年突破20%，公司凭借先发优势有望持续受益于行业结构性增长。东北证券指出，碳化硅衬底行业属于高门槛材料赛道，竞争格局呈现“国际头部集中、本土厂商追赶、结构分化加速”的特征，天岳先进的全球份额领先地位为其估值修复提供了坚实支撑。

从资金面看，中金研报强调，AI算力向高密度、连续满载、强瞬态冲击演进，高压架构成为数据中心供电系统的确定方向。2026年数据中心高压架构将迎来落地元年，SiC/GaN等第三代化合物半导体器件有望持续受益于电力系统升级。其中，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，GaN则有望在机柜内（白区）大规模渗透，形成“SiC左，GaN右”的市场格局。天岳先进作为SiC衬底龙头，将直接受益于数据中心电源方案迭代带来的需求爆发。

展望后市，随着8英寸SiC衬底渗透率提升及数据中心高压架构落地，天岳先进有望在技术面与基本面共振下延续上行趋势。投资者可重点关注公司产能扩张节奏及下游客户导入进展。