导语：中国存储产业历经十年深耕，在合肥与武汉双城布局下实现从0到1的突破。长鑫科技科创板IPO注册获批，长江存储完成辅导备案，标志着国产存储替代进入资本加速期，资金面与技术面共振，估值修复预期升温。 正文：6月12日，证监会正式同意长鑫科技集团股份有限公司（长鑫科技）首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请。当晚，上交所官网显示，其科创板IPO审核状态变更为注册生效。作为中国第一、全球第四的DRAM厂商，长鑫科技的成功闯关，宣告国产存储替代正迈入资本加速阶段。 几乎同期，长江存储控股股份有限公司完成IPO辅导备案，其全资子公司长江存储科技有限责任公司（长江存储）为中国第一、全球第六的NAND厂商。从2016年至今，中国存储产业用十年时间完成逆袭，在合肥与武汉形成双城并立格局。 2016年，长江存储、合肥长鑫、福建晋华三大存储器项目启动，开启中国大陆存储器产业发展元年。长江存储聚焦NAND Flash；合肥国资与兆易创新（603986）合作设立长鑫，自主研发DRAM；福建晋华因法律纠纷停滞。2019年，长鑫12英寸DRAM晶圆厂在合肥投产，推出8GB DDR4产品，实现DRAM产业从0到1的突破；长江存储32层3D NAND闪存量产，并宣布64层256Gb TLC产品投产。两大项目量产标志着跨越死亡之谷，背后是超百亿元投入，长鑫创始人朱一明透露，公司成立以来已花费25亿美元用于研发和资本支出。 量产仅是起点，国产存储与国际巨头存在代际差。为此，“两存”选择跳代研发：2020年，长江存储跳过96层，直接研发128层QLC 3D NAND；长鑫存储从19nm跳过18nm，投入17nm研发，并迅速转向DDR5和LPDDR5。2022年，长江存储率先量产232层3D NAND，成为全球首家实现200层以上量产的厂商，完成从跟跑到并跑的转变。 2023年成为破局之年。全球存储下行周期中，三星、SK海力士、美光被迫减产，而长江存储和长鑫存储逆势扩产、降价促销。长鑫年度资本开支达436.58亿元，较2022年354.31亿元大幅增长；长江存储232层NAND主动降价，部分产品报价仅为海外竞品一半。这一战略豪赌，在巨头减产期成功实现份额替代，打破寡头垄断。 跳代研发、逆势扩产、降价促销，为2025年行业超级周期中的量价齐升埋下伏笔。长鑫于2025年实现盈利，早于此前预期的2026年或2027年。2026年一季度，长鑫科技实现247.62亿元归母净利润，大幅弥补截至2025年底累计亏损的366.5亿元，从巨额亏损跨入暴利时代，中国存储迎来真正收获期。 总结展望：随着长鑫科技和长江存储相继登陆资本市场，国产存储产业有望借助资本力量加速技术迭代与产能扩张，在DRAM和NAND领域持续提升全球份额，估值修复空间值得关注。