长鑫科技科创板IPO获证监会注册，拟募资295亿

证监会于6月12日同意长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请，标志着国产DRAM龙头正式进入IPO冲刺阶段。作为国内存储芯片领域的核心标的，长鑫科技受益于存储行业超级周期，业绩爆发式增长，预计2026年上半年营收同比增长超600%，归母净利润同比增长超2200%，凸显其行业龙头地位与高成长性。

从基本面看，长鑫科技专注于DRAM芯片的设计、研发、生产和销售，产品覆盖DDR、LPDDR系列及晶圆、模组等方案，广泛应用于服务器、移动设备、智能汽车等领域。公司在合肥、北京拥有3座12英寸晶圆厂，按产能和出货量计，已位居中国第一、全球第四，技术壁垒与规模优势显著。资金面上，此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级、DRAM技术升级及前瞻技术研发，进一步巩固其国产替代与全球竞争力。技术面而言，存储行业当前处于上行周期，公司产能释放与产品迭代有望推动估值修复。

展望未来，随着AI算力、智能汽车等下游需求持续扩张，长鑫科技凭借技术领先与产能优势，有望在国产替代浪潮中持续受益，其科创板上市或将成为存储板块的重要催化剂。