长鑫科技科创板申购火爆，DRAM国产化提速挑战万亿市值

导语：国产DRAM龙头长鑫科技（SH688825）于7月16日启动科创板申购，发行价8.66元/股，预计募资总额约666亿元，有望成为今年A股最大IPO。机构预测其上市后市值可达2-3万亿元，标志着中国存储芯片国产化进入加速期，全球DRAM竞争格局面临重塑。

正文：长鑫科技此次IPO受到市场热烈追捧，网上申购有效户数达942.88万户，中签率约0.47%，均刷新科创板纪录。资金面显示，投资者对国产存储芯片替代逻辑高度认可，申购热情高涨。公司招股书显示，原计划募资295亿元全部用于DRAM主业，若超额配售权行使，实际募资规模翻倍，反映市场对存储芯片国产化前景的乐观预期。

从基本面看，长鑫科技产能扩张计划明确。据Citrini Research分析，若现有项目顺利推进，到2026年底其DRAM晶圆月产能将达约35万片，接近全球三大内存原厂之一美光。北京大道兴业投资创始人黄华艳指出，长鑫科技上市有望重构全球DRAM竞争格局，打破海外定价霸权，带动国内存储全产业链国产化提速。Counterpoint Research研究总监MS Hwang强调，未来几年是决定中国DRAM产业长期竞争力的关键阶段。

技术面上，海外存储股近期出现回调，7月16日韩国KOSPI指数开盘下跌4.4%，SK海力士ADR一度大跌超8%，半导体、存储概念股集体重挫。分析认为，这主要源于前期大幅上涨后的获利回吐，但摩根士丹利下调三星和SK海力士评级时指出，中国内存厂商大额募资扩产DRAM、长江存储三期产线加速爬坡，产能释放速度超预期，将削弱海外巨头长期供给主导地位。

此外，国产存储“双子星”长江存储也传出IPO提速消息，进一步强化市场对存储芯片国产化主题的关注。

总结展望：长鑫科技上市不仅是融资事件，更是中国存储产业从跟跑到并跑的关键转折点。随着产能扩张和国产替代深化，国内厂商有望在3-5年内缩小与三星、SK海力士的技术差距，但短期内仍需关注海外巨头技术迭代和地缘政治风险。